产品描述
※产品用途：
CNT生产的CVD（真空化学气相沉积炉）是一种用于在基片上生成高质量TiC、SiC、SiO2、Si3N4 专用设备。淀积温度能够较高 (100～1800℃可调 ) ，它已成为机械制造工业、冶金工业、光学工业、半导体工业等领域微电子和光电子领域科研和生产不可缺少的设备。
※产品结构：
CNT公司CVD设备主要由全真空专用不锈钢腔体，分子泵高真空系统，电源，生长机体载体及温控系统，独立排气和生长压力调节系统，冷却循环水辅助设备等组成。整机结构紧凑、操作方便、抽真空速度快。此设备控制系统采用逻辑按钮手动控制与工控机自控控制可选。实现真空抽气和镀膜工艺一体化功能。此设备可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、TiSi、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜等。
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参数名称
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单
位
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型 号
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CVD418
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CVD818
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CVD1218
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CVD1618
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CVD2018
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额定功率
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KW
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21
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30
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45
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60
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75
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额定电压
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V
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380
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380
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380
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380
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380
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温度
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℃
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1800
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1800
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1800
|
1800
|
1800
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工作温度
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℃
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&le1700
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&le1700
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&le1700
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&le1700
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&le1700
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真空度
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6.67pa
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6.67pa
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6.67pa
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6.67pa
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6.67pa
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基片台尺寸
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直径
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4英寸
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8英寸
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12英寸
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16英寸
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20英寸
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基片台转速
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020RPM
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020RPM
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020RPM
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020RPM
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020RPM
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V
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石墨
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石墨
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石墨
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石墨
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加热方式
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石墨
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石墨
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石墨
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石墨
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石墨
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升温速率
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℃min
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&le25
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&le25
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&le25
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&le25
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&le25
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控温精度
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℃
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±1
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±1
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±1
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±1
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±1
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标配
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1、 三路质量流量计 ，氮气、氢气、甲烷、氩气
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2、气路报警系统(氢气和甲烷)、超温报警、缺水报警
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选配
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1、尾气处理设备
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2、气瓶及减压阀
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3、冷却系统
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