硅碳棒的成分是碳化硅(SiC),主要成分为SiC94.4%,SiO,3.6%,其余为少量的铝、铁、氣化钙等。熔点2227°C,使用温度为 1400±50C。
碳化硅有无定形和晶体两种,对化学试剂是稳定的。它不溶于一般熟知的酸溶液屮和它们的混合酸中。沸腾的盐酸、氢氟酸、硫酸不会分解碳化硅。各种酸蒸气对硅碳棒不起化学作用。
氯在600°C时分解SiC的表面层,在900-1000。C时则进行下列反应:
SiC+2Cl2=SiCl4+C
在1100-1200C时形成四氯化硅和四氮化碳:
SiC+4Cl2=SiCl4+CCl4
SiC和水蒸汽在1300-1400C作用,但要到1775-1800。0才强列的作用:
SiC+2H20=Si02+CH4
因此必须隔绝水蒸汽的浸入。
SiC在氧中,在1000。0以下不被氧化,在1350。0时显著地氣化。在1350?1500。0之间形成Si02,而Si02在1700。0左右熔化。所生成的3102在熔化时覆盖在SiC的上面,阻碍SiC再继续氧化。
在1750.C时,SiC按下列反应强烈地进行氣化:
在1750‘C时,SiC按下列反应强烈地进行氧化,SiC + l+02=Si0+C0
SiC+202=Si02+C02
SiC在1100-C, 1小时可氧化0.47%,而在1250C时为
1.82%。
硫磺蒸气仅在髙丁HOOT时和SiC作用。
2000。(?以上,在Si02作用下,SiC分解并析出硅:
SiC+Si02=2Si-C0
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