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碳化硅(SiC)缘何成为第三代半导体较重要的材料?
在半导体技术中,需要较高纯度的细晶粒石墨,而SiC 单晶的生长通常涉及在超过 2400 °C 的非常高温度下的某种物理蒸汽传输机制。
多孔石墨作为晶体生长过程中关键的材料,同时,需要较高纯度和较好精度。我司可依据客户不同的型号要求定制,满足客户的不同需求。
碳化硅(SiC)缘何成为第三代半导体重要的材料?
在半导体技术中,需要高纯度的细晶粒石墨,而SiC 单晶的生长通常涉及在超过 2400 °C 的极高温度下的某种物理蒸汽传输机制。
多孔石墨作为晶体生长过程中关键的材料,同时,需要高纯度和精度。我司可依据客户不同的型号要求定制,满足客户的不同需求。
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