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结构陶瓷的优良性能应有特定的相组成和显微结构特征瓷体内的相组成以及晶粒大小、长宽比、排列特点、致密程度、晶界组成等都直接影响制品的性能和使用效果以氯化硅陶瓷为例,氮化硅陶瓷的室温和高温的抗弯强度、断裂韧性、硬度、热导率、耐热冲击性及氧化增量等性能,均随陶瓷的致密度增加而加大。氮化硅陶瓷具备较高的室内温度弯曲强度,冲击韧性值处在上游水准,例如压合Si3N4抗压强度达到1000MPa之上,冲击韧性约为5MPa?m1/2,重煅烧氮化硅特性亦已达与之相仿的水准si3N4瓷器的高溫抗压强度非常好,1200℃高溫抗压强度与室内温度抗压强度对比衰减系数并不大,此外,它的高溫应力松弛率很低这种全是由si3N4的强共价键实质所决策的氮化硅的高溫物理性能在挺大水平上在于晶界夹层玻璃相以便改进氮化硅的煅烧特性在原材料中添加煅烧改性剂,高溫时煅烧改性剂产生夹层玻璃相,制冷后夹层玻璃相存有于晶界处,务必历经品界工程项目解决才可以维持和充分发挥氮化硅的这一高溫特点,不然晶界夹层玻璃相在高溫下变软导致晶界载荷,对高溫抗压强度、应力松弛和静态数据疲惫中的迟缓裂痕拓展常有挺大的危害晶界载荷速率同夹层玻璃相的特性(如黏度等)、总数及遍布相关氮化硅的强度高,Hv=18GPa~21Gpa,HRA=91~93,仅次金钢石、立方米BN、B4C等少数几种超硬材料摩擦阻力小(O.1),有自润湿性,与给油的金属表层类似。
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我国目前主要采用硅粉直接氮化法生产氮化硅粉体,这种传统技术工艺生产的粉体杂质含量较高,耗电高,效益低,不易形成大规模生产鉴于此,纳米技术相关人士开始从气相法研究中寻找出路,即通过高温气相反应,一步制得超微粉体而在气相法中,等离子弧气相合成技术被认为是目前先进的技术相关人士鉴定认为,开尔公司设计研制的这条生产线有四项创新:采用的等离子弧三级压缩技术,使得等离子束的直径被限制在10毫米以内,有利于能量集中;第二,设计的多组元快速合成装置,保证了多元气氛在等离子弧温区内进行化学气相合成;第三,设计了氮冷却井,可有效防止在梯度冷却壁收集过程中粉体颗粒的长大;第四,采用气固分离技术和静电收集技术,提高了纳米氮化硅粉体的收集率利用这些技术制备的纳米氮化硅粉体,平均粒度为20纳米,纯度达97.5%据介绍,在这条生产线上还可生产纳米碳化硅、碳氮化硅、碳氮化钛等多种粉体经过几个月投料试产,取得了每小时产出纳米氮化硅粉体5公斤以上的**率与同类产品相比,生产成本大幅度下降,价格具有很强的竞争优势。
氮化硅硬度很高,仅次于钻石。立方氮化硼由于其非常低的消耗,减少了研磨介质的磨损和对研磨材料的污染,有利于获得更高纯度的超细粉末。据说氮化硅在24小时内的磨损仅为百万分之一。虽然这种说法需要检验。然而,根据前线人员提供的小编信息,氮化硅的磨损率低得惊人。
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