1.本晶片电解氧化设备适用于在0.1n koh 乙二醇溶液条件下,用电解方法在半导体晶片表面形成氧化膜;用电解方法剥离半导体晶片表面氧化膜;用电解方法在半导体表面进行刻蚀。
2.箱体采用12㎜厚进口pp板;底部设不锈钢调平支脚及脚轮,便于移动;操作面设有维修活动门,便于操作;
3.有温度报警装置.
4.配置1个工艺槽,1个纯水喷洗槽;diw水枪一个.槽体采用10㎜厚进口pp板焊接,槽体无渗漏、变形,底部设有一排液阀,便于更换溶液.
5.本晶片电解氧化设备配备可移动阳极导电杆及不锈钢阳极板及晶片固定夹具。
6、工艺槽配置循环磁力泵和过滤筒,保证溶液的连续过滤和消除汽泡,以除去溶液中的各种固体杂质和渣滓(滤芯的过滤精度可选)。
7、循环管路、上水、排液管路均为pp材质,管路线端设总阀控制,整体管线进行固定,布局合理,横平竖直,设有操作阀门便于操作。
8.还可用于其它金属的表面处理.
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