规格:(Φ5.0-150.0)×(0.2-6.0)mm符合国标GB/T14592-93
参数:比重:10.2g/cm³电阻率:不大于6.26×10-6Ω.cm
热膨胀系数:4.0×10-6μm/(m.k)-6.4×10-6μm/(m.k)(在373.15k-973.15k)
用途:适用于电力半导体器件及电真空器件。用作可控硅元件中单晶硅片的支撑基板。
特点:钼圆片表面光亮,粗糙度可达Ra1.60,热导电性能好,热膨胀系数小,且耐高温,抗压强度优于现行同类产品
如果您有特殊要求,可协商解决,欢迎您来电咨询!
相关推荐