等离子化学气相沉淀反应炉

产
品
特
点

   与普通的CVD系统相比，因为有等离子源的介入,系统的沉积温度相对较低。
配备有滑轨式管式炉可以轻松实现快速降温，实现快速退火。   
操控界面可配备液晶操作系统，图文显示，直观易懂，对于设备的使用操作简单易学， 该系统较高工作温度接近1150℃，能满足大多数热处理场合。该设备可具体用于：碳、 ZnO 纳米管或纳米线的制备也可以用于制备单层石墨烯以及各种CVD实验 。   

等
离
子
发
生
器

输出功率:          5 ～500W    ± 1% . 
射频频率:          13.56 MHz    ±0.005% .
反射功率:          非常大约200W 
阻抗匹配:          自动

真
空
泵
机
组

双较旋片泵, 较限真空0.1Pa
KFD25 快接，不锈钢波纹管，手动挡板阀与法兰，真空泵相连.
管内真空可达1Pa,若要更高真空度可选配高真空机组。
可选：本公司进口的防腐型数字式真空显示计，其测量范围为  3.8x10-5 至 1125 Torr. 不需因测量气体种类不同而需要系数转换。（需要另外计算费用）

质量流量计

质量流量计(精度0.02% ) ：数字显示，自动控制.
MFC 1范围:  0~100 sccm 
MFC 2和3:    0~500 sccm  
一个混气罐，底部装有泄废液口.  
进气接口: 1/4NPS. 
出气接口: 1/4NPS. 

水冷系统

水冷法兰要求：水流量 >= 10L/M ，配有有经验水冷机组。

管式炉                    

炉管直径：80mm
炉管长度：1400mm
炉膛长度：440mm
控温精度：±1℃
工作温度：≦1200℃