设备简介:该设备为我司研发用于石墨烯薄膜连续生长或者线性材料的连续的专项使用设备,此款设备是快速冷却卷对卷CVD连续生长炉,它由高温生长腔体,三路质量流量计气路系统,真空机组,石英管,冷却装置,收放卷的密封装置,自动化控制系统组成,两端分别安装有进料进气真空腔室和出料排气真空腔室(即收放铜箔
2023-09-12 0/台主要特点一、智能型双温区等离子化学气相沉积系统设备的高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统,控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温,电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制,从而大大提高了发热元件的寿命,测温元件采用K型热偶。30段可编程控温,PID参数自整定,操作界
2023-09-12 1/台主要特点:1.多工位旋转,可作0~180度旋转;2.具有真空装置,可多角度和工作气氛下工作;3.操作简单、便捷。技术参数:额定功率KW2.5额定电压VAC220V50/60Hz较高温度℃
2023-09-12 1/mm设备特点:1200℃开启式真空管式炉不仅可以抽真空,也可以通气体保护。其结构使得拆装炉管方便,操作简捷,使用者可直接将密封腔体移出炉体,加快降温过程,透明石英管腔体可直观的看到样品烧结状态。法兰采用卡箍快捷接头,减去了取放料时的繁琐操作,炉管工件横穿与上下各6组进口电阻丝的炉膛,温场均匀,
2023-09-12 1/mm设备特点:该款设备是由单端封口小型红外滑轨炉、电机调速装置、高真空机组、进出气口及操作控制界面组成,内控热电偶用于控制RTP滑轨炉内的温度,伺服电机用于控制丝杆的转动速度达到控制炉管(样品)移除炉膛的速度,从而用于调节炉管(样品)的降温速度,与之相反可以得到较快的升温速率;出气口通过
2023-09-12 /台产品简介:1.该设备炉管可360度旋转,管内壁有石英挡片帮助粉料翻转有助于烧结得更均匀;2.可左右大角度倾斜,方便出放料,倾斜角度在0~35?之间。3、广泛应用于电池正负较材料,无强酸碱性粉体材料,颗粒状物料。4、可在真空下或气氛保护下进行烧制。型号BTF-1
2023-09-12 /台主要特点该款设备是全自动Plasma增强CVD系统(PECVD),连续可控温度以及Plasma强度等,配备真空系统,可以低压条件下实现工艺,PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区,辉光相对均匀等效,很好的解决了传统等离子工作不稳定状态,该设备炉管可360?旋转,有助于粉料的
2023-09-12 /台设备特点:1、保温材料采用真空吸附成型的氧化铝纤维无机材料,环保节能;2、采用模糊PID控制,控温精度可达?1℃;3、炉体采用双层风冷机构,炉子烧到zui高温度时,壳体表面温度低于60℃;4、采用多种保温材料组合制成,使炉子体积小,能量消耗少(耗电量是同类产品耗电量的四分之一)。
2023-09-12 /台主要特点本款农业生产体系小分子提纯(升华仪)主要用途是在真空条件下对农业生产体系混合物进行升华达到纯化的目的(即蒸发后重结晶),主要处理的对象为具有升华性的农业生产体系材料,或具有流动相特性混合物如农业生产体系声光产品(如农业生产体系发光显示器用的农业生产体系光电材料)或纳米材料。贝意克设备
2023-09-12 /套特点及用途:前端预热双温区滑轨PECVDBTF-1200C-II-SL-400C是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技
2023-09-12 /套设备特点此款设备由9组管式炉组合而成,且相互单独控制,可同时进行平行实验,整机液晶屏集中管理,操作简便,无纸记录。设备的在zui大优势:功能强大体积小,很好的解决了实验室空间紧张的问题,广泛适用于各大高校研究院。技术参数额定功率22KW额定电压38
2023-09-12 /台产品简介:本设备主要针对实验石墨烯生长和制备使用,同时该设备可以用于碳纳米管的生长。可制备出高质量的透明导电膜,用作手机触摸屏,平板电脑,智能穿戴,传感器等领域。PECVD高温真空炉加热腔体采用氧化铝纤维制品,其较低的热导率和比热容,保证了炉膛的快速升温和低蓄热,特别适合于科研单位的材料
2023-09-12 /套1、主要用途:该设备用于石英玻璃的吹制成型,其功能是自动调节火焰枪头三维位置,用于duo维度控制枪头火焰的喷射角度,以便获得zui佳的喷射效果,配备真空系统,可以低压条件下实现吹塑成型实验。该玻璃圆片可在环形压环实现边界固定,避免跑偏溅射伤人,同时内置磁流体旋转,可在真空条件下实现玻璃片
2023-09-12 /套主要特点碳纳米纤维膜系统,是通过集高温场、设计的薄膜采集系统及液态碳源调控系统于一体的碳纳米管制备设备。此系统采取液态碳源的方式,通过载气和压力引导,使碳源通过高温区,并在高温区进行裂解,在催化剂等的作用下得到碳纳米管材料,此材料zui终沉积后端收集系统的成膜区,形成碳纳米管薄
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