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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积 Ti-B-C 薄膜

发布日期：2023-12-14 来源：网络 作者：匿名

在常见的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 几种元素可以形成多种共价键材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 这些物质具有不错的物理和化学特性, 一直是材料学研究的热点.  研究发现, 对成分和结构的调控可实现薄膜材料的性能转变, 进而获得能满足不同性能需求的薄膜.

 

在 对 Ti-B-C 薄膜研究中, 北方某大学科研课题租采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积 Ti-B-C 薄膜, 研究不同沉积条件及热处理条件对其筹备结构和力学性能的影响.

 

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

型号

RFICP140

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>600 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

14 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

5-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

24.6 cm

直径

24.6 cm

中和器

LFN 2000

 

磁控溅射是物理气相沉积技术中一种手段比较丰富的方法, 可以通过控制调节镀膜参数, 得到更加致密, 均匀, 结合力不错的膜层, 而且磁控溅射属于干法镀膜, 不存在电镀化学镀中的镀液腐蚀基体和废液污染问题, 从环境保护的角度来看, 磁控溅射较电镀化学镀更加绿色环保.

 

该实验项目采用 Ti/ B4C 复合靶作为靶材, 通过磁控溅射方法沉积了成分、结构可调的 Ti-B-C薄膜. 在沉积试验之前, 背底气压低于510-3Pa, 再采用 Ar 离子溅射清洗30min, 工作气压为0.5Pa.

 

利用 X 射线光电子能谱 (XPS) 和 X 射线衍射 (XRD) 分析了 Ti-B-C 薄膜的成分和结构, 利用纳米压痕法测量了 Ti-B-C 薄膜的力学性能.

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

KRI 离子源是领域公认的带领者, 已获得许多****. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口****的****代理商.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗小姐                                   宝岛伯东: 王小姐
T: 86-21-5046-3511 ext 108              T: 886-3-567-9508 ext 161
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