产品概述:
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高真空PECVD系统主要特点: 1.通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。 2.PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。 3.可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。 4.PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。 5.广泛应用于:各种薄膜的生长,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
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