产品描述
程控扩散炉主要满足半导体电力电子器件、大功率集成电路等行业，对所加工的硅 片进行扩散、氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、
控制系统、超净化操作系统等组成。选用工控机微控方式或者程控方式操作。 程控扩散炉技术指标： u可处理硅片尺寸：2—12英寸 u外型形式：卧式1—4管结构 u工作温度：200℃—1300℃ u恒温区长度及精度：200mm—1100mm≤±0.5℃ u单点温度稳定性、重复性：≤±1℃／24h u温度斜变：可控升温速率15℃／min u可控降温速率：5℃／min u送片装置：手动推拉 u气路系统：1—5路工艺气体／管 u气体控制：手动浮子流量计 u控制方式：程控
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单价：50000 元
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