离子体化学气相沉积系统_其它-昆山艾科迅机械有限公司

产品描述

等离子体增强化学气相沉积法。

设备介绍：本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

产品简介：此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

主要组成系统及特点：

本设备主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。

主要特点：

1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。

3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。

4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。

5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy和无定型硅(a-Si:H)等。

开启式真空管式炉技术参数
		石英管尺寸			L1400mm *（根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等规格可选。）
		加热元件			掺钼铁铬铝合金电阻丝
		测温元件			K型热电偶
		加热区长度			400mm
		恒温区长度			200mm
		工作温度			≤1100℃
		控温模式			模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶启动紧急信号功能
		控温精度			±1℃
		升温速率			≤20℃/min
		电功率			AC220V/50HZ/3KW
质量供气系统技术参数（根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路GQ-2Z，三路GQ-2Z，四路GQ-2Z，五路GQ-2Z或更多路供选择。）
	外形尺寸				600x600x600mm
	标准量程				50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）；
	数显压力表测量范围				-0.1Mpa～0.15Mpa
	较限压力				3MPa
	针阀				316不锈钢
	截止阀				Φ6mm 316不锈钢针阀
	电功率				AC220V/50HZ/20W
	响应时间				气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec
	准确度				±1.5%
	线性				±0.5～1.5%
	重复精度				±0.2%
	接口				Φ6,1/4
真空系统技术参数（根据需求选择不同真空效果的真空系统。有DZK10-1（较限真空0.1Pa），GZK10-3（较限真空0.001Pa），以及进口高真空机组（较限真空0.0001Pa）供选择。）
			外型尺寸	600×600×600mm
			工作电电压	220V±10% 50~60HZ
			功率	400W
			抽气速率	4L\s
			较限真空	4X10-2Pa
			实验真空度	1.0X10-1Pa
			容油量	1.1L
			进气口口径	KF25
			排气口口径	KF25
			转速	1450rpm
射频电源（根据需求选择强度不同的射频电源。有DLZ300（300W），DLZ500（500W）或更大功率的射频电源供选择）
			信号频率	13.56 MHz±0.005%
			功率输出范围	5-300W 5W-500W可选
			非常大反射功率	200W
			射频输出接口	50 Ω, N-type, female
			功率稳定度	±0.1%
			谐波分量	≤-50dbc
			供电电压	单相交流（187V-253V）频率50/60HZ
			整机效率	>=70%
			功率因素	>=90%
			冷却方式	强制风冷