氧化炉

所属行业： 半导体工艺设备
产品内容： 产品应用：应用于集成电路、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池等领域，适用2~8英寸工艺尺寸

产品特点：
◆主机为水平一至三管炉系统构架，独立完成不同的工艺或相同工艺
◆工业计算机控制系统，对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制
◆采用悬臂送片器：操作方便、无摩擦污染等
◆关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性
◆工艺管路采用进口阀门管见组成-气密性好、耐腐蚀、无污染（管路均采用ep级电抛光管
路），流量控制采用质量流量计（mfc）进口
◆控温精度高，温区控温稳定性好
◆具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能
◆高质量的加热炉体，确保恒温区的高稳定性及长寿命

主要技术指标
1、工艺说明
1.1氧化：干氧工艺，湿氧工艺（去离子水、氢氧合成-内/外点火）
1.2扩散：硼扩、磷扩（液态源、固态源等）
1.3合金、退火等工艺

2、系统组成：主机（加热体、石英/sic管、功率组件等)、自动送片（悬臂-sic）净化工作台、气路气源系统（气源柜）、计算机控系统等组成

3、控制方式：手动送片/自动送片

4、配置（可选）：
4.1仪表控制/计算机控制
4.2工艺管（水平结构）：1-3管
4.3工艺规格：2~6英寸晶圆或125mm×125mm、156mm×156mm太阳能电池片（工艺腔体为石英或碳化硅）
4.4恒温区长度：800mm/600mm/450mm
4.5晶圆装载：手动/悬臂式（刚玉/碳化硅杆，碳化硅桨）
4.6工作台：有净化/无净化
4.7工艺气路：对应的工艺气路，气路阀门组件采用国际优质品牌产品（如swagelok、park、sandvik、cardinal等等），mfc国际优质（如mks、unit、stec等）或国产优质

5、主要技术参数：
5.1工作温度：200～1300℃
5.2加热体控制点：3点
5.3炉体恒温区：450mm/600mm/800mm
5.4恒温区精度：＞800℃/±0.5℃ ，＜800℃/±1℃
5.5单点温度稳定性：600～1300℃/ ±0.5℃/24h
5.6可控升温速度：15℃/min
5.7降温速度：5℃/min（900～1300℃）
5.8供电：三相四线，380vac/50hz

6、结构尺寸：
6.1 结构：水平扩散炉
垂直扩散炉