所属行业: 半导体工艺设备
产品内容: 产品应用:应用于集成电路、分立器件、光电子器件、电力电子器件、太阳能电池等领域,适用2~8英寸工艺尺寸
产品特点:
◆主机为水平一至三管炉系统构架,独立完成不同的工艺或相同工艺
◆工业计算机控制系统,对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制
◆采用悬臂送片器:操作方便、无摩擦污染等
◆关键部件均采用进口,确保设备的高可靠性
◆工艺管路采用进口阀门管见组成-气密性好、耐腐蚀、无污染(管路均采用ep级电抛光管
路),流量控制采用质量流量计(mfc)进口
◆控温精度高,温区控温稳定性好
◆具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能
◆高质量的加热炉体,确保恒温区的高稳定性及长寿命
主要技术指标
1、工艺说明
1.1氧化:干氧工艺,湿氧工艺(去离子水、氢氧合成-内/外点火)
1.2扩散:硼扩、磷扩(液态源、固态源等)
1.3合金、退火等工艺
2、系统组成:主机(加热体、石英/sic管、功率组件等)、自动送片(悬臂-sic)净化工作台、气路气源系统(气源柜)、计算机控系统等组成
3、控制方式:手动送片/自动送片
4、配置(可选):
4.1仪表控制/计算机控制
4.2工艺管(水平结构):1-3管
4.3工艺规格:2~6英寸晶圆或125mm×125mm、156mm×156mm太阳能电池片(工艺腔体为石英或碳化硅)
4.4恒温区长度:800mm/600mm/450mm
4.5晶圆装载:手动/悬臂式(刚玉/碳化硅杆,碳化硅桨)
4.6工作台:有净化/无净化
4.7工艺气路:对应的工艺气路,气路阀门组件采用国际优质品牌产品(如swagelok、park、sandvik、cardinal等等),mfc国际优质(如mks、unit、stec等)或国产优质
5、主要技术参数:
5.1工作温度:200~1300℃
5.2加热体控制点:3点
5.3炉体恒温区:450mm/600mm/800mm
5.4恒温区精度:>800℃/±0.5℃ ,<800℃/±1℃
5.5单点温度稳定性:600~1300℃/ ±0.5℃/24h
5.6可控升温速度:15℃/min
5.7降温速度:5℃/min(900~1300℃)
5.8供电:三相四线,380vac/50hz
6、结构尺寸:
6.1 结构:水平扩散炉
垂直扩散炉
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