产品描述
产品介绍
pecvd满足半导体集成电路，电力电子器件，光电子等行业用于在硅片上淀积si o2、si 3n4、poly-si、磷硅玻璃、硼硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等多种薄膜工艺。
pecvd系统性能特点：
结构形式：1—4管卧式热壁型
硅片规格：2—8英寸硅片(或125×125mm、156×156mm方片)
温度范围：300～1100℃
恒温区长度及精度：200mm—1000mm(±1℃／24h)
淀积薄膜均匀性： 片内±5％ 片间±5％ 批间±5％
沉积膜厚度：600～1 5000a
系统极限真空度：优于1pa
工作压力范围：20～133pa闭环控制
控制方式：工业微机
送料装置：悬臂推拉舟、软着陆系统
淀积薄膜分类：si 3n4、si02、psg、pply-si膜
真空泵：罗茨泵、机械泵
工艺气路：5路气／管。vcr接口
40kfiz脉宽调制ae高频电源
装片量：200片／舟
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- 青岛曼什微电子设备制造有限公司
- 经营模式：制造商
- 主营：扩散/氧化炉,太阳能设备,LPCVD,LED合金炉,真空/氮气炉,链式/隧道炉,压力烧结炉,真空热处理炉
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