产品描述
一、 设备基本原理及主要用途
1. 设备用途
适用于电子陶瓷与高温结构陶瓷的烧结、玻璃的准确退火与微晶化、晶体的准确退火、陶瓷釉料制备、粉末冶金、纳米材料的烧结、金属零件淬火及一切需快速升温工艺要求的热处理，应用于电子元器件、新型材料及粉体材料的真空气氛处理，材料在惰性气氛环境下进行烧结。本设备具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高等特点。综合性能指标较高，处于国内优异水平。根据不同的使用气氛及使用温度，使用不同的加热元件，型号齐全，对需在惰性气体环境下烧结的材料，本设备是一个非常好的选择，同时也可满足于不同工艺实验而特殊制造。
二、 主要技术参数
1. 加热功率： 2KW
加热形式： 1900型优质硅钼棒MoSi2
左右两面加热，温场均匀，能耗低
升温速率建议:10℃/Min Max:20℃/Min
1. 炉膛尺寸： 150mm*150mm*150mm（长方体）
2. 外形尺寸： 1800mm*1300mm*1600mm(高/宽/长）
3. 保温材料： 1800型高纯氧化铝微晶体纤维，保温性能好
4. 装料方式： 前侧装料
5. 气氛种类： 惰性气体（氮气，氩气）
6. 常规中空度： 6.7x10^(-2) Pa
7. 较限真空度： 6.7x10^(-3) Pa
8. 较限充气压力：≤0.05Mpa
9. 长期使用压力：≤0.04Mpa（微正压、表压）
10. 控制精度： ?1 ℃
11. 热电偶型号：B型
12. 温控控制： 30段程序控温系统，PID控制
13. 内外层炉壳： SECC钢板防锈处理，并经粉体烤漆处理
14. 设备表面温度：≤60℃
15. 数据导出系统：可通过USB将升降温工艺导出，曲线图显示
如需了解更多真空高温炉，请来电咨询。
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