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KRI 霍尔离子源 eH 1000

价格

面议

  • 单价:电议
  • 最小起订量: 1
  • 所在地:上海 上海
  • 供货总量: 1000
  • 发布时间:2023-12-14

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产品描述

因产品配置不同,价格货期需要电议,图片仅供参考,一切以实际成交合同为准。

KRI 霍尔离子源 eH 1000
上海伯东代理国外进口进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000 **气体利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 农业生产体系前体

KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 较大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 非常高真空系统; 安装方便; 无需水冷
• **的等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:

型号

eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO

供电

DC magnetic confinement

  - 电压

40-300V VDC

  - 离子源直径

~ 5 cm

  - 阳极结构

模块化

电源控制

eHx-30010A

配置

-

  - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 离子束发散角度

> 45° (hwhm)

  - 阳极

标准或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移动或快接法兰

  - 高度

4.0

  - 直径

5.7

  - 加工材料

金属
电介质
半导体

  - 工艺气体

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安装距离

10-36”

  - 自动控制

控制4种气体

  • 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

    KRI 霍尔离子源 eH 1000 应用领域:
    • 离子辅助镀膜 IAD
    • 预清洗 Load lock preclean
    • 预清洗 In-situ preclean
    • Direct Deposition
    • Surface Modification
    • Low-energy etching
    • III-V Semiconductors
    • Polymer Substrates

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗小姐                                   宝岛伯东: 王小姐
T: 86-21-5046-3511 ext 108              T: 886-3-567-9508 ext 161
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