产品描述
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KRI 考夫曼离子源 KDC 40
上海伯东代理国外进口进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数
|
型号 |
KDC 40 |
|
供电 |
DC magnetic confinement |
|
- 阴极灯丝 |
1 |
|
- 阳极电压 |
0-100V DC |
|
电子束 |
OptiBeam™ |
|
- 栅极 |
专用, 自对准 |
|
-栅极直径 |
4 cm |
|
中和器 |
灯丝 |
|
电源控制 |
KSC 1202 |
|
配置 |
- |
|
- 阴极中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
|
- 架构 |
移动或快速法兰 |
|
- 高度 |
6.75 |
|
- 直径 |
3.5 |
|
- 离子束 |
集中 |
|
-加工材料 |
金属 |
|
-工艺气体 |
惰性 |
|
-安装距离 |
6-18” |
|
- 自动控制 |
控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
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