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KRI 霍尔离子源 eH 2000
上海伯东代理国外进口进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 1高等
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 农业生产体系前体
KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 较大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 非常高真空系统; 安装方便
• **的等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数
型号 |
eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO |
供电 |
DC magnetic confinement |
- 电压 |
40-300V VDC |
- 离子源直径 |
~ 5 cm |
- 阳极结构 |
模块化 |
电源控制 |
eHx-30010A |
配置 |
- |
- 阴极中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
- 离子束发散角度 |
> 45° (hwhm) |
- 阳极 |
标准或 Grooved |
- 水冷 |
前板水冷 |
- 底座 |
移动或快接法兰 |
- 高度 |
4.0 |
- 直径 |
5.7 |
- 加工材料 |
金属 |
- 工艺气体 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安装距离 |
16-45” |
- 自动控制 |
控制4种气体 |
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