产品描述
系统概述：
本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理计算后，将测试数据以表格形式显示并可进行编辑和打印。
系统单元及参数条件：
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断态/反向重复峰值电压 |
低档：0.20-3.00KV分辨率10V,精度±3%±10V 高档：3.00-8.00KV分辨率10V,精度±3%±10V 50HZ电压连续可调，电压手动分档 电耐久性试验电压施加方式：手动调压器调压方式，10个工位为一组电压调节，共两组。 |
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断态/反向重复峰值电流 |
1—199mA，分辨率0. 1mA，准确度 ±3%±1mA 3000V以下时，20个工位漏电流能设定到199mA。 3000V以上时，可通过减少实际负载工位数量，以达到不超设备功率负荷。 8KV时电流为50 mA |
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试验波形 |
交流半波/全波，面板按钮选择 |
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设备供电电压 |
AC220V±1% |
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工位数量 |
20个 |
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连接方式 |
机柜侧面留有接线柱 |
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控制方式 |
电压在面板手动调节，漏电流设定手动调节，漏电流正反向显示手动选择。 正反向过流均可保护动作，10个工位统一设置保护电流，统一复位。 |
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计算机控制系统 |
设备的所有工作程序，工作时序，开关的动作状态，数据的采集等均由计算机完成。工业控制机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点。 |
9、简易的测试设备
半导体
分立器件测试系统
系统概述：
设备的扩展性强，通过选件可提高电流、电压以及测试品种的范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A。采用了脉冲测试法，脉冲宽度为美军规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。
基础配置：
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技术参数 |
ENJ2005-A型 |
ENJ2005-B型 |
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主极电压 |
10mV-2000V |
10mV-2000V |
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主极电流 |
100nA-50A |
100nA-50A |
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扩展电流 |
100A、200A、400A、500A |
250A、500A、750A、1000A、1250A |
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电压分辨率 |
1mV |
1mV |
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电流分辨率 |
100nA |
10nA(可扩展至10pA) |
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测试精度 |
0.5% 2LSB |
0.2% 2LSB |
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测试速度 |
0.5mS/参数Parameter |
0.5mS/参数Parameter |
测试范围：
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测试器件 |
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二极管 / DIODE |
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√ |
绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT |
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晶体管 / NPN型/PNP型 |
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MOS场效应管 / MOS-FET |
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J型场效应管 / J-FET |
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可控硅 / SCR |
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双向可控硅 / TRIAC |
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达林顿列阵 / DRALINTON |
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光电耦合 / OPTO-COUPLER |
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稳压、齐纳二极管 / ZENER |
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√ |
三端稳压器 / REGULATOR |
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双向触发二极管 / DIAC |
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硅触发可控硅 / STS |
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光电开关 / OPTO-SWITCH |
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光电逻辑 / OPTO-LOGIC |
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金属氧化物压变电阻 / MOV |
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固态过压保护器 / SSOVP |
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压变电阻 / VARISTOR |
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继电器 / RELAY |
测试参数：
漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO BVCES(300uS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM VBB、BVR、VD 、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS
导通参数：VCESAT、SAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合参数：Rdson、Gfs、Input Regulation、Output Regulation
关断参数：VGSOFF
触发参数：IGT、VGT
保持参数：IH、IH 、IH-
锁定参数：IL、IL 、IL-
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