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碳化硅雪崩测试系统 半导体一、产品简介n雪崩能量测试台，是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备，对于那些在应用过程中功率器件两端产生较大电压的尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额
2024-12-20 100000/元 -
可控硅静态参数测试系统一、产品简介该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。该套测试设备主要有以下几个单元组成：1)门极触发参数测试单元2)维持电流测试单元3)阻断参数测试单元4)通态压降参数测试单元5)电压上升率参数测试单元6)擎住电流7)门极电阻8)计算机
2024-12-20 100000/元 -
8KV交流阻断耐久性测试仪一、测试设备功能和技术指标1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制
2024-12-20 10000/元 -
高集成化电力半导体全动态测一.功能简介全动态测试的基本原理是在一个工频半周内对被测元件施加半波电流，电流的平均值由元件的额定电流值决定，而在另一个半周内施加正向或反向的正弦半波阻断电压，测量它的动态阻断伏安特性，它模拟了元件在整流电路中的工作情况。全动态测试法是对元件的通态电流能力、阻断电压能力的一种综合测试，已被国
2024-12-20 50000/台 -
晶闸管高温反偏测试仪一、产品简介该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中的测试设备。该套测试设备主要有以下几个单元组成：1)门极触发参数测试单元2)维持电流测试单元3)阻断参数测试单元4)通态压降参数测试单元5)电压上升率参数测试单元6)擎住电流7)门极电阻8)计算机控制系统9)合格证标签打印1
2024-12-20 100000/台 -
整流桥 晶闸管模块可靠性测一、测试设备功能和技术指标1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。***设备的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制，
2024-12-20 100000/台 -
功率器件雪崩能量测试仪雪崩能量测试台，是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备，对于那些在应用过程中功率器件两端产生较大电压的尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，
2024-12-20 100000/台 -
IGBT动态参数测试系统 地铁
IGBT动态参数测试系统一.功能简介IGBT动态参数测试系统的基本原理是在一个工频半周内对被测元件施加半波电流，电流的平均值由元件的额定电流值决定，而在另一个半周内施加正向或反向的正弦半波阻断电压，测量它的动态阻断伏安特性，它模拟了元件在整流电路中的工作情况。IGBT动态参数测试系统
2024-12-20 100000/台 -
10uS方波浪涌测试设备 半导10uS方波浪涌测试设备一、产品简介10uS方波浪涌测试设备，是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：1、该系统的测试控制采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。2、该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。
2024-12-20 100000/台 -
功率半导体标准动态特性测试
功率半导体标准动态特性测试系统功率半导体标准动态特性主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台（下面简称测试台），规定了测试台的主要技术要求，参数范围，操作流程，试验方法及检验规则等。本技术规范并
2024-12-20 100000/台 -
功率器件雪崩能量测试设备功率器件雪崩能量测试设备一、产品简介n雪崩能量测试台，是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备，对于那些在应用过程中功率器件两端产生较大电压的尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常
2024-12-20 100000/台 -
功率半导体标准动态特性测试功率半导体标准动态特性测试设备主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台（下面简称测试台），规定了测试台的主要技术要求，参数范围，操作流程，试验方法及检验规则等。本技术规范并未对一切技术细节做
2024-12-20 100000/台 -
IGBT测试系统IGBT测试系统核心业务为半导体功率器件测试设主要有：MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off/Qrr
2024-12-20 100000/台 -
浪涌电流测试系统浪涌电流测试系统一、产品简介浪涌电流测试系统，是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：1、该系统的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。2、该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。3、该套测试设
2024-12-20 100000/台 -
IGBT静态参数测试设备IGBT静态参数测试设备核心业务为半导体功率器件测试设主要有：MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off/
2024-12-20 100000/套 -
可控硅反向恢复测试设备半导可控硅反向恢复测试设备1.总则可控硅反向恢复测试设备主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。本技术规格书适用于ZY-Trr型功率半导体反向恢复特性测试台（下面简称测试台），规定了测试台的技术参数要求，试验方法、检验验收及包装运输要求等。本技术规范并未对一切技术细节
2024-12-20 100000/套 -
功率半导体标准动态特性测试
功率半导体标准动态特性测试仪主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台（下面简称测试台），规定了测试台的主要技术要求，参数范围，操作流程，试验方法及检验规则等。本技术规范并未对一切技术细节做出规定
2024-12-20 100000/套 -
功率器件换相时间测试系统功率器件换相时间测试系统电路换相关断时间定义为外部切换主电路后，通态电流降至零瞬间，和器件能承受而不致转折的断态电压急剧上升过零或最早的低的正值瞬间之间的时间间隔。其测试原理是在反向恢复测试后施加特定电压上升率的再加电压，调整电压和电流的间隔时间找到临界值，读出电流下降到零点到电压上升。功
2024-12-20 100000/套 -
二极管正向浪涌测试设备
二极管正向浪涌测试设备一、产品简介二极管正向浪涌测试设备，是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：1、该系统的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。2、该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。3
2024-12-20 100000/套 -
10mS正弦半波浪涌测试系统一、产品简介10mS正弦半波浪涌测试系统，是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：1、该系统的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。2、该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。3、该套测试设备主要
2024-12-20 100000/台 -
10uS-10mS DBC-102 浪涌电系统概述：浪涌电流测试仪，是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。DBC-102型浪涌电流试验台的测试方法符合JB/T7626-2013中的相关标准。本系统通过电容放电产生电流波，结合上位机测试软件
2024-12-20 100000/台 -
DBC-112 可控硅 静态综合系统概述：针对晶闸管的静态参数而研发的智能测试设备，电压8500V、10000A（可扩展），自动化程度高，按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果，测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储，工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由计算机和PLC共同完成。测试方法灵活，可测试单个
2024-12-20 100000/台 -
功率器件高反压 反向恢复 测系统概述：本测试设备主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理计算后，将测试数据以表格形式显示并可进行编辑和
2024-12-20 100000/台 -
功率器件 换向时间测试系统概述：功率半导体换向时间测试台，主要由可调的正向导通电流、可调的反向电压等电路组成，及信号采集、恒温压机等组成。工作方式为自动，气动。操作简单，界面友好，且可重复性好。电路换相关断时间定义为外部切换主电路后，通态电流降至零瞬间，和器件能承受而不致转折的断态电压急剧上升过零或最早的低的
2024-12-20 100000/台 -
DBC-029D 功率器件阻断特性系统概述：功率半导体阻断特性测试台主要完成各类功率器件的断态重复峰值电压（VDRM），反向重复峰值电压（VRRM）,断态直流电压（VD），及对应的断态重复峰值电流（IDRM），反向重复峰值电流（IRRM），及断态电流（ID）等参数测试。系统单元及参数条件：序号
2024-12-20 100000/台 -
高温阻断 测试设备 DBC-249系统概述：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理计算后，将测试数据以表格形式显示并
2024-12-20 100000/台 -
功率器件图示系统系统概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体功率器件图示系统，系统IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。提供在线故障判断，遇到器件接触不良时系统自动停止测试。通过USB或者RS232与电
2024-12-20 100000/台 -
IGBT 动态参数测试系统
系统概述：IGBT广泛应用于现代中、大功率变换器中，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。该系统是针对IGBT器件的开关特性及内部续流二极管的反向恢复特性而推出的全自动测试系统。适
2024-12-20 100000/台 -
晶闸管、IGCT 动态参数测试系统概述：本设备适用于模块及平板型晶闸管及整流管断态电压临界上升率、通态峰值电压、关断时间、恢复电荷以及反向恢复电流和反向恢复时间的测量。本设备符合国家JB/T7626-2013标准〖反向阻断三极晶闸管〗测试方法。系统单元：电流上升率di/dt关断
2024-12-20 100000/台 -
IPM 参数测试系统系统概念：IPM（IntelligentPowerModule），即智能功率模块，是先进的混合集成功率器件，不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。该系统在解决了IPM的控制信号源以及高速数据采集处理两个关
2024-12-20 100000/台 -
ZY-200 雪崩能量 测试系统系统概述：是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备，该设备主要组成单元有：示波器、程控电源、程控电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机程控系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器等。测试方法符合
2024-12-20 100000/台 -
半导体 分立器件测试系统
系统概述：设备的扩展性强，通过选件可提高电流、电压以及测试品种的范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A。采用了脉冲测试法，脉冲宽度为美军规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试
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新型半导体功率器件图示系统系统概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体功率器件图示系统，系统IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。提供在线故障判断，遇到器件接触不良时系统自动停止测试。通过USB或者RS232与电
2024-12-20 100000/台 -
IGBT 便携式测试仪系统概述：IGBT作为目前主流的电力半导体开关器件，已广泛应用于电力电子相关行业，一台轻巧便携的测试仪就显得尤为重要。便携式IGBT测试仪，是一种全新的功率半导体器件参数测试仪器，可用于额定电流在2-100A的IGBT和MOS管主要静态参数的测试。仪器与配套电脑连接使用，通过友好人机界面
2024-12-20 100000/台 -
分立器件 参数测试仪系统概述：ENJ1502分立器件测试仪采用上位计算机控制，集点测试和曲线扫描为一体，可实现点参数测试和图示仪功能。软件操作界面友好智能，在PC窗口提示下输入被测器件的测试参数即可完成填表编程，操作人员不需具备专业计算机编程语言知识，使用简捷方便。操作软件采用填入式编程方法，专为国内用户开发
2024-12-20 100000/台 -
晶闸管 门极/阻断特性测试仪系统概述：晶闸管门极/阻断特性测试仪是可用于测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM\VGT、IGT、Ih以及二极管的VRRM、IRRM参数以及其它半导体器件的相关参数测试的专业设备。它的测试方法符合GB/JB/T7626-2013标准。该测试台具有漏电流自动保护功能，过电压
2024-12-20 100000/台 -
ZY-1500R IGBT 静态参数测试系统概述：针对IGBT的静态参数而研发的智能测试系统，功率3500V、1500A（可扩展），自动化程度高，按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果，测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储，工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由计算机和PLC共同完成。测试方法灵活，可测试单个
2024-12-20 100000/台 -
ZY-200 雪崩能量 测试系统系统概述：是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备，该设备主要组成单元有：示波器、程控电源、程控电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机程控系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器等。测试方法符合
2024-12-20 100000/台 -
DBC-112 可控硅 静态综合
系统概述：针对晶闸管的静态参数而研发的智能测试设备，电压8500V、10000A（可扩展），自动化程度高，按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果，测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储，工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由计算机和PLC共同完成。测试方法灵活，可测试单个
2024-12-20 100000/台 -
自动热稳态模块夹具 供应本实用新型公开了一种自动压力机夹具,包括水平设置在压力机上的多对夹臂,在所述每对夹臂相对的夹持面上均设置有橡胶垫.本实用新型优点在于将夹臂的夹持面上设置有橡胶垫,这样当夹具夹持耐火砖时由于有橡胶垫的缓冲,不仅能够方便的夹取砖体,而且对耐火砖起到一定的保护作用,有效防止了耐火砖夹裂或夹破,减少了耐
2024-12-20 100000/台