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功率半导体标准动态特性测试
功率半导体标准动态特性测试仪主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台（下面简称测试台），规定了测试台的主要技术要求，参数范围，操作流程，试验方法及检验规则等。本技术规范并未对一切技术细节做出规定
2026-05-21 100000/套 -
IGBT静态参数测试设备
IGBT静态参数测试设备核心业务为半导体功率器件测试设主要有：MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off/
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可控硅反向恢复测试设备半导
可控硅反向恢复测试设备1.总则可控硅反向恢复测试设备主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。本技术规格书适用于ZY-Trr型功率半导体反向恢复特性测试台（下面简称测试台），规定了测试台的技术参数要求，试验方法、检验验收及包装运输要求等。本技术规范并未对一切技术细节
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浪涌电流测试系统
浪涌电流测试系统一、产品简介浪涌电流测试系统，是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：1、该系统的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。2、该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。3、该套测试设
2026-05-21 100000/台 -
功率半导体标准动态特性测试
功率半导体标准动态特性测试设备主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台（下面简称测试台），规定了测试台的主要技术要求，参数范围，操作流程，试验方法及检验规则等。本技术规范并未对一切技术细节做
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IGBT测试系统
IGBT测试系统核心业务为半导体功率器件测试设主要有：MOSFET参数测试设备：静态参数测试（包括IGSS/BVR/VDS（Sat）/IDSS/VGSTH/VF/RDS（on））；动态参数（开通关断/反向恢复/短路/安全工作区）测试（包括Turn_on&off/Qrr
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功率器件换相时间测试系统
功率器件换相时间测试系统电路换相关断时间定义为外部切换主电路后，通态电流降至零瞬间，和器件能承受而不致转折的断态电压急剧上升过零或最早的低的正值瞬间之间的时间间隔。其测试原理是在反向恢复测试后施加特定电压上升率的再加电压，调整电压和电流的间隔时间找到临界值，读出电流下降到零点到电压上升。功
2026-05-21 100000/套 -
二极管正向浪涌测试设备
二极管正向浪涌测试设备一、产品简介二极管正向浪涌测试设备，是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：1、该系统的测试控制完全采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。2、该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。3
2026-05-21 100000/套 -
功率器件雪崩能量测试设备
功率器件雪崩能量测试设备一、产品简介n雪崩能量测试台，是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备，对于那些在应用过程中功率器件两端产生较大电压的尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常
2026-05-21 100000/台 -
功率半导体标准动态特性测试
功率半导体标准动态特性测试系统功率半导体标准动态特性主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台（下面简称测试台），规定了测试台的主要技术要求，参数范围，操作流程，试验方法及检验规则等。本技术规范并
2026-05-21 100000/台