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半导体 分立器件测试系统
系统概述：设备的扩展性强，通过选件可提高电流、电压以及测试品种的范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A。采用了脉冲测试法，脉冲宽度为美军规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测
2026-06-13 100000/台 -
DBC-112 可控硅 静态综合
系统概述：针对晶闸管的静态参数而研发的智能测试设备，电压8500V、10000A（可扩展），自动化程度高，按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果，测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储，工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由计算机和PLC共同完成。测试方法灵活，可测试单个
2026-06-13 100000/台 -
新型半导体功率器件图示系统
系统概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体功率器件图示系统，系统IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。提供在线故障判断，遇到器件接触不良时系统自动停止测试。通过USB或者RS232与电
2026-06-13 100000/台 -
ZY-200 雪崩能量 测试系统
系统概述：是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备，该设备主要组成单元有：示波器、程控电源、程控电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机程控系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器等。测试方法符合
2026-06-13 100000/台 -
IPM 参数测试系统
系统概念：IPM（IntelligentPowerModule），即智能功率模块，是先进的混合集成功率器件，不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。该系统在解决了IPM的控制信号源以及高速数据采集处理两个关
2026-06-13 100000/台 -
晶闸管、IGCT 动态参数测试
系统概述：本设备适用于模块及平板型晶闸管及整流管断态电压临界上升率、通态峰值电压、关断时间、恢复电荷以及反向恢复电流和反向恢复时间的测量。本设备符合国家JB/T7626-2013标准〖反向阻断三极晶闸管〗测试方法。系统单元：电流上升率di/dt关断
2026-06-13 100000/台 -
IGBT 动态参数测试系统
系统概述：IGBT广泛应用于现代中、大功率变换器中，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。该系统是针对IGBT器件的开关特性及内部续流二极管的反向恢复特性而推出的全自动测试系统。适
2026-06-13 100000/台 -
ZY-1500R IGBT 静态参数测试
系统概述：针对IGBT的静态参数而研发的智能测试系统，功率3500V、1500A（可扩展），自动化程度高，按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果，测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储，工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由计算机和PLC共同完成。测试方法灵活，可测试单个
2026-06-13 100000/台 -
整流二极管专用静态参数试验
一、测试设备功能和技术指标1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制
2026-06-13 100000/台 -
IGBT 便携式测试仪
系统概述：IGBT作为目前主流的电力半导体开关器件，已广泛应用于电力电子相关行业，一台轻巧便携的测试仪就显得尤为重要。便携式IGBT测试仪，是一种全新的功率半导体器件参数测试仪器，可用于额定电流在2-100A的IGBT和MOS管主要静态参数的测试。仪器与配套电脑连接使用，通过友好人机界面
2026-06-13 100000/台