可控硅反向恢复测试设备1.总则可控硅反向恢复测试设备主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。本技术规格书适用于ZY-Trr型功率半导体反向恢复特性测试台(下面简称测试台),规定了测试台的技术参数要求,试验方法、检验验收及包装运输要求等。本技术规范并未对一切技术细节
2026-04-23 100000/套
功率半导体标准动态特性测试仪主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台(下面简称测试台),规定了测试台的主要技术要求,参数范围,操作流程,试验方法及检验规则等。本技术规范并未对一切技术细节做出规定
2026-04-23 100000/套
功率器件换相时间测试系统电路换相关断时间定义为外部切换主电路后,通态电流降至零瞬间,和器件能承受而不致转折的断态电压急剧上升过零或最早的低的正值瞬间之间的时间间隔。其测试原理是在反向恢复测试后施加特定电压上升率的再加电压,调整电压和电流的间隔时间找到临界值,读出电流下降到零点到电压上升。功
2026-04-21 100000/套
二极管正向浪涌测试设备一、产品简介二极管正向浪涌测试设备,是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备,该设备具有如下特点:1、该系统的测试控制完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。2、该系统采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。3
2026-04-21 100000/套
一、产品简介10mS正弦半波浪涌测试系统,是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备,该设备具有如下特点:1、该系统的测试控制完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。2、该系统采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。3、该套测试设备主要
2026-04-20 100000/台
系统概述:浪涌电流测试仪,是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备,浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。DBC-102型浪涌电流试验台的测试方法符合JB/T7626-2013中的相关标准。本系统通过电容放电产生电流波,结合上位机测试软件
2026-04-20 100000/台
系统概述:针对晶闸管的静态参数而研发的智能测试设备,电压8500V、10000A(可扩展),自动化程度高,按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储,工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由计算机和PLC共同完成。测试方法灵活,可测试单个
2026-04-10 100000/台
系统概述:本测试设备主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试,测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机直接通讯,将采集数据传输给计算机,计算机经过处理计算后,将测试数据以表格形式显示并可进行编辑和
2026-04-10 100000/台
系统概述:功率半导体换向时间测试台,主要由可调的正向导通电流、可调的反向电压等电路组成,及信号采集、恒温压机等组成。工作方式为自动,气动。操作简单,界面友好,且可重复性好。电路换相关断时间定义为外部切换主电路后,通态电流降至零瞬间,和器件能承受而不致转折的断态电压急剧上升过零或最早的低的
2026-04-09 100000/台
系统概述:功率半导体阻断特性测试台主要完成各类功率器件的断态重复峰值电压(VDRM),反向重复峰值电压(VRRM),断态直流电压(VD),及对应的断态重复峰值电流(IDRM),反向重复峰值电流(IRRM),及断态电流(ID)等参数测试。系统单元及参数条件:序号
2026-04-09 100000/台