系统概述:本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验,测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机直接通讯,将采集数据传输给计算机,计算机经过处理计算后,将测试数据以表格形式显示并
2026-07-03 100000/台
功率半导体标准动态特性测试仪主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台(下面简称测试台),规定了测试台的主要技术要求,参数范围,操作流程,试验方法及检验规则等。本技术规范并未对一切技术细节做出规定
2026-07-03 100000/套
IGBT静态参数测试设备核心业务为半导体功率器件测试设主要有:MOSFET参数测试设备:静态参数测试(包括IGSS/BVR/VDS(Sat)/IDSS/VGSTH/VF/RDS(on));动态参数(开通关断/反向恢复/短路/安全工作区)测试(包括Turn_on&off/
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可控硅反向恢复测试设备1.总则可控硅反向恢复测试设备主要完成功率器件在高di/dt下反向恢复特性参数的测试。本技术规格书适用于ZY-Trr型功率半导体反向恢复特性测试台(下面简称测试台),规定了测试台的技术参数要求,试验方法、检验验收及包装运输要求等。本技术规范并未对一切技术细节
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浪涌电流测试系统一、产品简介浪涌电流测试系统,是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备,该设备具有如下特点:1、该系统的测试控制完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。2、该系统采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。3、该套测试设
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功率半导体标准动态特性测试设备主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台(下面简称测试台),规定了测试台的主要技术要求,参数范围,操作流程,试验方法及检验规则等。本技术规范并未对一切技术细节做
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IGBT测试系统核心业务为半导体功率器件测试设主要有:MOSFET参数测试设备:静态参数测试(包括IGSS/BVR/VDS(Sat)/IDSS/VGSTH/VF/RDS(on));动态参数(开通关断/反向恢复/短路/安全工作区)测试(包括Turn_on&off/Qrr
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功率器件换相时间测试系统电路换相关断时间定义为外部切换主电路后,通态电流降至零瞬间,和器件能承受而不致转折的断态电压急剧上升过零或最早的低的正值瞬间之间的时间间隔。其测试原理是在反向恢复测试后施加特定电压上升率的再加电压,调整电压和电流的间隔时间找到临界值,读出电流下降到零点到电压上升。功
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系统概述:浪涌电流测试仪,是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备,浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。DBC-102型浪涌电流试验台的测试方法符合JB/T7626-2013中的相关标准。本系统通过电容放电产生电流波,结合上位机测试软件
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系统概述:IGBT广泛应用于现代中、大功率变换器中,其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性,直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。该系统是针对IGBT器件的开关特性及内部续流二极管的反向恢复特性而推出的全自动测试系统。适
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