西安智盈电气科技有限公司

碳化硅雪崩测试系统 半导体

一、产品简介n雪崩能量测试台，是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备，对于那些在应用过程中功率器件两端产生较大电压的尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额

2024-04-25 100000/元

8KV交流阻断耐久性测试仪

一、测试设备功能和技术指标1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制

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10uS方波浪涌测试设备 半导

10uS方波浪涌测试设备一、产品简介10uS方波浪涌测试设备，是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，该设备具有如下特点：1、该系统的测试控制采用自动控制，测试可按测试员设定的程序进行自动测试。2、该系统采用计算机记录测试结果，并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。

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DBC-112 可控硅 静态综合

系统概述：针对晶闸管的静态参数而研发的智能测试设备，电压8500V、10000A（可扩展），自动化程度高，按照操作人员设定的程序自动工作。计算机记录测试结果，测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储，工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由计算机和PLC共同完成。测试方法灵活，可测试单个

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DBC-029D 功率器件阻断特性

系统概述：功率半导体阻断特性测试台主要完成各类功率器件的断态重复峰值电压（VDRM），反向重复峰值电压（VRRM）,断态直流电压（VD），及对应的断态重复峰值电流（IDRM），反向重复峰值电流（IRRM），及断态电流（ID）等参数测试。系统单元及参数条件：序号

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功率器件图示系统

系统概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体功率器件图示系统，系统IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。提供在线故障判断，遇到器件接触不良时系统自动停止测试。通过USB或者RS232与电

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晶闸管、IGCT 动态参数测试

系统概述：本设备适用于模块及平板型晶闸管及整流管断态电压临界上升率、通态峰值电压、关断时间、恢复电荷以及反向恢复电流和反向恢复时间的测量。本设备符合国家JB/T7626-2013标准〖反向阻断三极晶闸管〗测试方法。系统单元：电流上升率di/dt关断

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半导体 分立器件测试系统

系统概述：设备的扩展性强，通过选件可提高电流、电压以及测试品种的范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A。采用了脉冲测试法，脉冲宽度为美军规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试

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IGBT 便携式测试仪

系统概述：IGBT作为目前主流的电力半导体开关器件，已广泛应用于电力电子相关行业，一台轻巧便携的测试仪就显得尤为重要。便携式IGBT测试仪，是一种全新的功率半导体器件参数测试仪器，可用于额定电流在2-100A的IGBT和MOS管主要静态参数的测试。仪器与配套电脑连接使用，通过友好人机界面

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晶闸管 门极/阻断特性测试仪

系统概述：晶闸管门极/阻断特性测试仪是可用于测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM\VGT、IGT、Ih以及二极管的VRRM、IRRM参数以及其它半导体器件的相关参数测试的专业设备。它的测试方法符合GB/JB/T7626-2013标准。该测试台具有漏电流自动保护功能，过电压

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ZY-200 雪崩能量 测试系统

系统概述：是专门设计测试IGBT、二极管、MOS管测试设备，该设备主要组成单元有：示波器、程控电源、程控电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压控制、IGBT功率型器件、IGBT功率型器件保护电路、计算机程控系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器等。测试方法符合

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半导体 分立器件测试设备

系统概述：设备的扩展性强，通过选件可提高电流、电压以及测试品种的范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A。采用了脉冲测试法，脉冲宽度为美军规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试

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晶闸管、IGCT 动态参数测试

系统概述：本设备适用于模块及平板型晶闸管及整流管断态电压临界上升率、通态峰值电压、关断时间、恢复电荷以及反向恢复电流和反向恢复时间的测量。本设备符合国家JB/T7626-2013标准〖反向阻断三极晶闸管〗测试方法。系统单元：电流上升率di/dt关断

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可控硅高温阻断耐久性试验台

产品简介该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。该套测试设备主要有以下几个单元组成：1)门极触发参数测试单元2)维持电流测试单元3)阻断参数测试单元4)通态压降参数测试单元5)电压上升率参数测试单元6)擎住电流7)门极电阻

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整流二极管专用静态参数试验

一、测试设备功能和技术指标1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制

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