新型半导体功率器件图示系统

系统概述：

ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体功率器件图示系统，系统IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。提供在线故障判断，遇到器件接触不良时系统自动停止测试。通过USB或者RS232与电脑连接，以及人机界面操作，即可完成测试，并实现结果以Excel和Date的格式保存。

 

曲线测试： 参数条件：

01	二极管  /  DIODE
02	晶体管  /  NPN型/PNP型
03	J型场效应管  /  J-FET
04	MOS场效应管  /  MOS-FET
05	双向可控硅  /  TRIAC
06	可控硅  /  SCR
07	绝缘栅双极性晶体管  /  IGBT
08	硅触发可控硅  /  STS
09	达林顿阵列  /  DARLNTON
10	光电耦合  /  OPTO-COUPLER
11	继电器  /  RELAY
12	稳压、齐纳二极管  /  ZENER
13	三端稳压器  /  REGULATOR
14	光电开关  /  OPTO-SWITCH
……	其它器件共19大类27分类

ID vs. VDS at range of VGS

ID vs. VGS at fixed VDS

IS vs. VSD

RDS vs. VGS at fixed ID

RDS vs. ID at several VGS

IDSS vs. VDS / HFE vs. IC

BVCE（O，S，R，V）vs. IC

BVEBO vs. IE

BVCBO vs. IC

VCE（SAT）vs. IC

VBE（SAT）vs. IC

VBE（ON）vs. IC （use VBE test）

VCE（SAT）vs. IB at a range of ICVF vs. IF

 

 

 

 

匹配规格：

主极电压	1mV-2000V
电压分辨率	1mV
主极电流	0.1nA-100A
电流分辨率	0.1nA
测试精度	0.2% 2LSB
测试速度	0.5mS/参数

 

 

 

 

 

测试参数：

漏电参数：IR、 ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、

 ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、

 IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

击穿参数：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、

 BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD 、VD-、

 BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO

导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、

 VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、

 VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)

 Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator) 

关断参数：VGSOFF

触发参数：IGT、VGT

保持参数：IH、IH 、IH-

锁定参数：IL、IL 、IL

增益参数：hFE、CTR、gFS

混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulatio

间接参数：IL