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IGCT测试设备功率器件阻断特系统概述：功率半导体阻断特性测试台主要完成各类功率器件的断态重复峰值电压（VDRM），反向重复峰值电压（VRRM）,断态直流电压（VD），及对应的断态重复峰值电流（IDRM），反向重复峰值电流（IRRM），及断态电流（ID）等参数测试。系统单元及参数条件：序号
2024-11-08 100000/台 -
半导体 分立器件测试设备系统概述：设备的扩展性强，通过选件可提高电流、电压以及测试品种的范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A。采用了脉冲测试法，脉冲宽度为美军规定的300uS。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试
2024-11-08 100000/台 -
功率器件 图示系统系统概述：ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体功率器件图示系统，系统IV曲线自动生成，也可根据实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。提供在线故障判断，遇到器件接触不良时系统自动停止测试。通过USB或者RS232与电
2024-11-08 100000/台 -
晶闸管、IGCT 动态参数测试系统概述：本设备适用于模块及平板型晶闸管及整流管断态电压临界上升率、通态峰值电压、关断时间、恢复电荷以及反向恢复电流和反向恢复时间的测量。本设备符合国家JB/T7626-2013标准〖反向阻断三极晶闸管〗测试方法。系统单元：电流上升率di/dt关断
2024-11-08 100000/台 -
半导体器件晶闸管全动态测试一.功能简介全动态测试的基本原理是在一个工频半周内对被测元件施加半波电流，电流的平均值由元件的额定电流值决定，而在另一个半周内施加正向或反向的正弦半波阻断电压，测量它的动态阻断伏安特性，它模拟了元件在整流电路中的工作情况。全动态测试法是对元件的通态电流能力、阻断电压能力的一种综合测试，
2024-11-08 100000/台 -
SCR晶闸管全动态测试系统
一.功能简介全动态测试的基本原理是在一个工频半周内对被测元件施加半波电流，电流的平均值由元件的额定电流值决定，而在另一个半周内施加正向或反向的正弦半波阻断电压，测量它的动态阻断伏安特性，它模拟了元件在整流电路中的工作情况。全动态测试法是对元件的通态电流能力、阻断电压能力的一种综合测试，
2024-11-08 100000/台 -
可控硅高温阻断耐久性试验台
产品简介该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。该套测试设备主要有以下几个单元组成：1)门极触发参数测试单元2)维持电流测试单元3)阻断参数测试单元4)通态压降参数测试单元5)电压上升率参数测试单元6)擎住电流7)门极电阻
2024-11-08 100000/台 -
晶闸管高温阻断试验台一、测试设备功能和技术指标1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制
2024-11-08 100000/台 -
整流二极管专用静态参数试验一、测试设备功能和技术指标1.主要适用功能：本测试设备可对晶闸管、整流管的电耐久性进行试验，测试设备主要技术条件符合JB/T-7626-2013等相关标准。保证设备的安全性和使用耐久性。2．控制方式：采用手动调压试验。对试验电参数（试验时间、电压、漏电流，）进行显示。10个工位为一组控制
2024-11-08 100000/台 -
浪涌电流测试仪 电力电子行一、产品简介该测试系统是晶闸管静态参数检验测试中不可缺少的专用测试设备。该套测试设备主要有以下几个单元组成：1)门极触发参数测试单元2)维持电流测试单元3)阻断参数测试单元4)通态压降参数测试单元5)电压上升率参数测试单元6)擎住电流7)门极电阻8)计算机
2024-11-08 /台