IPM 参数测试系统

测试范围

测试参数

IPM

BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM

VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP,

ID, VEC,

Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON),

VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L),

VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt,

T_MEAS, V_MEAS

IGBT

ICES BVCES IGES VF VGEON

VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT)

DIODE

VF-Temp,Temp, VF revision

静态参数

上桥参数

动态参数

上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H)

集电极电压/Vce:100～1200V/±3%/10V

上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H)

集电极电流/Ice： 10～75A/±3%/1A

上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)

VD=VBS=15V/±3%/0.1V

上桥驱动IC高端静态工作电流测试（Iqbs-U V W）

VIN=0～5V/±3%/0.1V

上桥欠压保护监测电平（UVbsd-U V W）

ton-L : 10～500nS/±3%/1nS

上桥欠压保护复位电平（UVbsr-U V W）

tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS

上桥驱动IC导通阈值电压测试（Vth（on）-UH VH WH）

toff-L: 50～500nS/±3%/1nS

上桥驱动IC关断阈值电压测试（Vth（off）-UH VH WH）

tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS

上桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UH VH WH）

Trr-L :10～500nS/±3%/1nS

上桥FRD正向压降测试（VF-(UH VH WH)

Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ

Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ

下桥IGBT/FRD漏电流测试（Ices-L）

下桥参数

集电极电压/Vce:100～1200V/±3%/10V

下桥驱动IC静态工作电流测试（IDL）

集电极电流/Ice:10～75A/±3%/1A

故障输出电压测试（Vfoh Vfol）

VD=VBS=15V/±3%/0.1V

过流保护阈值电压测试（Vcin（ref））

VIN=0～5V/±3%/0.1V

下桥欠压保护监测电平（UVdd）VD=VBS=15V

on-L : 10～500nS/±3%/1nS

下桥欠压保护复位电平（UVdr）

tc（on）-L :5～200nS/±3%/1nS

下桥驱动IC导通阈值电压（Vth（on）-UL VL WL）

toff-L: 50～500nS/±3%/1nS

下桥驱动IC关断阈值电压（Vth（off）-UL VL WL）

tc(off)-L: 5～200nS/±3%/1nS

下桥IGBT饱和电压测试（Vce(sat)-UL VL WL）

Trr-L :10～500nS/±3%/1nS

下桥FRD正向压降测试（VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.1～10mJ/±3%/0.1mJ

Eoff-L： 0.1～10mJ/±3%/0.1mJ