用途:用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制备
特点:一次设定自动完成,可另配气柜。真空系统可选配进口机组
主要技术指标:制备3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜;温度:400~900℃;
恒温区600mm±0.5℃;真空系统机械泵+罗茨泵,配有抽气冷井;
控温器采用进口5吋触摸屏;通入气体SIH4/NH3/N2;
进口质量流量计控制;阀门用进口气动阀和减压阀;动作顺序为PLC编程控制;
薄膜压力控制器加阀闭环控制压强
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