主要用于半导体:二较管、整流桥、集成电路、电力电子器件等在氮气、或氢氮混合气体的保护下进行焊接、封装、退火烘干等工艺。主要技术指标:★工作温度:200℃&mdash1200℃;温度控制精度:±2℃;总功率:20&mdash100KV.★炉膛宽度尺寸:100mm&mdash80
2016-09-24 电议/台详细说明双工位真空烧结炉主要应用于电力半导体器件烧结焊接等工艺设备参数:★真空室工位数:13位★真空度:1x103Pa,加扩散泵为5x106Pa★工作温度:1000℃★充气的较高压强:0.5Mpa(可控)★不锈钢内胆:&Phi150&Phi350x1300
2016-09-24 电议/台三工位真空烧结炉主要应用于电力半导体器件烧结焊接等工艺设备参数:★口径:&Phi350mm★工作方式:共用一套加热体,A、B、C管交替工作★工作温度:3001000℃★恒温区1000mm±3℃★冷态真空度:5&Chi104Pa★真空系统:机械泵+K300扩散泵★
2016-09-24 电议/台