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LPCVD化学相沉积设备
用途：用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制备特点：一次设定自动完成，可另配气柜。真空系统可选配进口机组主要技术指标：制备3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜；温度：400~900℃；恒温区600mm±0.5℃；真空系统机械泵+罗茨泵，配有抽气冷井；控温器采用进口5吋触
2016-09-24 电议/台 -
磁性材料专项使用设备
主要技术指标：◆钐钴退火每炉15-150公斤，烧结每炉35公斤◆工作温度及均匀度：1000℃/1250℃±1.5℃◆真空度：5.0×10-1Pa(退火)/5.0×10-3Pa(烧结)◆满足工艺要求的均匀升温、冷却◆控制方式：触摸屏、工控机◆型号：VTO-250（烧结）/VTO-4
2016-09-24 电议/台 -
链式（隧道炉）链式炉设备
主要用于半导体：二较管、整流桥、集成电路、电力电子器件等在氮气、或氢氮混合气体的保护下进行焊接、封装、退火烘干等工艺。主要技术指标：★工作温度：200℃&mdash1200℃；温度控制精度：±2℃；总功率：20&mdash100KV.★炉膛宽度尺寸：100mm&mdash80
2016-09-24 电议/台 -
单工位真空炉
简单描述：真空烧结炉广泛应用于半导体、冶金及其它行业的热处理、真空工艺处理详细介绍：★工作温度：400-1200oC★单点温度控制精度：≤±1oC/24h★等温区长度：200-400mm/±1mm★升温功率：3-6KVA★升温时间：（至1200℃）<750min
2016-09-24 电议/台 -
双工位真空炉
详细说明双工位真空烧结炉主要应用于电力半导体器件烧结焊接等工艺设备参数：★真空室工位数：13位★真空度：1x103Pa，加扩散泵为5x106Pa★工作温度：1000℃★充气的较高压强：0.5Mpa（可控）★不锈钢内胆：&Phi150&Phi350x1300
2016-09-24 电议/台 -
三工位真空炉
三工位真空烧结炉主要应用于电力半导体器件烧结焊接等工艺设备参数：★口径：&Phi350mm★工作方式：共用一套加热体，A、B、C管交替工作★工作温度：3001000℃★恒温区1000mm±3℃★冷态真空度：5&Chi104Pa★真空系统：机械泵+K300扩散泵★
2016-09-24 电议/台 -
氢气烧结炉
主要技术指标：◆钐钴退火每炉15150公斤，烧结每炉35公斤◆工作温度及均匀度：1000℃1250℃۫.5℃◆真空度：5.0𴠽Pa(退火)5.0𴠿Pa(烧结)◆满足工艺要求的均匀升温、冷却◆控制方式：触摸屏、工控机◆
2016-09-24 电议/台 -
井式真空炉
主要用于熔化焊锡来进行电子器件的生产以及二较管模块烧结等工艺操作。主要技术指标：&diams方式：井式、铜板加热，加热面积直径380mm见方.&diams较高温度：600℃&diams工作温度：500℃以内。&diams控温精度：±2℃&diams有效工
2016-09-24 电议/台 -
LED外延片退火炉
◆全中文操作界面，可编辑参数，操作简便◆可保存多条工艺曲线，每条曲线可设置多步◆工艺曲线的自动运行控制功能◆自动运行中可暂停继续运行功能◆工艺中可强制跳到下一工艺步运行功能◆智能升降温斜率控制功能◆PID参数自整定功能◆可存储多组PID参数供系统运
2016-09-24 电议/台 -
太阳能（光伏）扩散炉
◆工作温度：300~1200℃◆有效口径根据用户扩散片确定，可订制◆恒温区长度：920mm1350mm（可根据用户要求定制）◆温区精度(静态闭管测试)：600℃＜工作温度＜1200℃：±0.5℃300℃&le工作温度&le600℃：±1℃◆单点温度稳定性(静态闭管测试)
2016-09-24 电议/台