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- 公司名:青岛育豪微电子设备有限公司
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LPCVD化学相沉积设备
用途：用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制备特点：一次设定自动完成，可另配气柜。真空系统可选配进口机组主要技术指标：制备3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜；温度：400~900℃；恒温区600mm±0.5℃；真空系统机械泵+罗茨泵，配有抽气冷井；控温器采用进口5吋触
2016-09-24 电议/台 -
磁性材料专项使用设备
主要技术指标：◆钐钴退火每炉15-150公斤，烧结每炉35公斤◆工作温度及均匀度：1000℃/1250℃±1.5℃◆真空度：5.0×10-1Pa(退火)/5.0×10-3Pa(烧结)◆满足工艺要求的均匀升温、冷却◆控制方式：触摸屏、工控机◆型号：VTO-250（烧结）/VTO-4
2016-09-24 电议/台 -
LED外延片退火炉
◆全中文操作界面，可编辑参数，操作简便◆可保存多条工艺曲线，每条曲线可设置多步◆工艺曲线的自动运行控制功能◆自动运行中可暂停继续运行功能◆工艺中可强制跳到下一工艺步运行功能◆智能升降温斜率控制功能◆PID参数自整定功能◆可存储多组PID参数供系统运
2016-09-24 电议/台 -
太阳能（光伏）扩散炉
◆工作温度：300~1200℃◆有效口径根据用户扩散片确定，可订制◆恒温区长度：920mm1350mm（可根据用户要求定制）◆温区精度(静态闭管测试)：600℃＜工作温度＜1200℃：±0.5℃300℃&le工作温度&le600℃：±1℃◆单点温度稳定性(静态闭管测试)
2016-09-24 电议/台 -
程控扩散炉
产品说明：扩散炉主要满足半导体电力电子器件行业、大功率集成电路等行业，对所加工硅片进行扩散、氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、控制系统、超净化操作系统等组成。选用工控机微控方式或者程控方式操作。主要技术指标：★可处理硅片尺寸：2&mdash8英寸★外
2016-09-24 电议/台 -
立式真空扩散炉
本设备主要应用于集成电路、分立器件、电力电子器件熔化焊接来进行的生产、扩散、烧结、以及热处理退火等工艺操作。主要技术指标：方式：立式、环壁加热，钟罩升降式，丝杠上下传送料，自动升降送料，真空室内配有工件支架可处理硅片尺寸：28英寸恒温区长度：400800mm工作温度：
2016-09-24 电议/台 -
LED专项使用扩散炉
特点：★关键件全部采用进口件，具有高可靠性。★具有可编程的升、降温功能。★具有断电启动紧急信号、超温启动紧急信号、较限超温启动紧急信号等多种安全保护功能。★可存储九条工艺曲线。每条工艺曲线较多有九步。★曲线间可以任意链接、重复。★具有高抗干扰能力。★具有多种工艺
2016-09-24 电议/台