青岛育豪微电子设备有限公司

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主营:扩散炉系列,真空炉系列,链式隧道炉系列,氢气炉系列,砷化镓单晶炉系列,LED专用设备,太阳能光伏扩散炉,磁性材料专用设备

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  • LPCVD化学相沉积设备
    LPCVD化学相沉积设备

    用途:用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制备特点:一次设定自动完成,可另配气柜。真空系统可选配进口机组主要技术指标:制备3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜;温度:400~900℃;恒温区600mm±0.5℃;真空系统机械泵+罗茨泵,配有抽气冷井;控温器采用进口5吋触

    2016-09-24 电议/台
  • 磁性材料专项使用设备
    磁性材料专项使用设备

    主要技术指标:◆钐钴退火每炉15-150公斤,烧结每炉35公斤◆工作温度及均匀度:1000℃/1250℃±1.5℃◆真空度:5.0×10-1Pa(退火)/5.0×10-3Pa(烧结)◆满足工艺要求的均匀升温、冷却◆控制方式:触摸屏、工控机◆型号:VTO-250(烧结)/VTO-4

    2016-09-24 电议/台
  • 链式(隧道炉)链式炉设备
    链式(隧道炉)链式炉设备

    主要用于半导体:二较管、整流桥、集成电路、电力电子器件等在氮气、或氢氮混合气体的保护下进行焊接、封装、退火烘干等工艺。主要技术指标:★工作温度:200℃&mdash1200℃;温度控制精度:±2℃;总功率:20&mdash100KV.★炉膛宽度尺寸:100mm&mdash80

    2016-09-24 电议/台
  • 单工位真空炉
    单工位真空炉

    简单描述:真空烧结炉广泛应用于半导体、冶金及其它行业的热处理、真空工艺处理详细介绍:★工作温度:400-1200oC★单点温度控制精度:≤±1oC/24h★等温区长度:200-400mm/±1mm★升温功率:3-6KVA★升温时间:(至1200℃)<750min

    2016-09-24 电议/台
  • 双工位真空炉
    双工位真空炉

    详细说明双工位真空烧结炉主要应用于电力半导体器件烧结焊接等工艺设备参数:★真空室工位数:13位★真空度:1x103Pa,加扩散泵为5x106Pa★工作温度:1000℃★充气的较高压强:0.5Mpa(可控)★不锈钢内胆:&Phi150&Phi350x1300

    2016-09-24 电议/台
  • 三工位真空炉
    三工位真空炉

    三工位真空烧结炉主要应用于电力半导体器件烧结焊接等工艺设备参数:★口径:&Phi350mm★工作方式:共用一套加热体,A、B、C管交替工作★工作温度:3001000℃★恒温区1000mm±3℃★冷态真空度:5&Chi104Pa★真空系统:机械泵+K300扩散泵★

    2016-09-24 电议/台
  • 氢气烧结炉
    氢气烧结炉

     主要技术指标:◆钐钴退火每炉15150公斤,烧结每炉35公斤◆工作温度及均匀度:1000℃1250℃&#1771.5℃◆真空度:5.0&#215101Pa(退火)5.0&#215103Pa(烧结)◆满足工艺要求的均匀升温、冷却◆控制方式:触摸屏、工控机◆

    2016-09-24 电议/台
  • 井式真空炉
    井式真空炉

    主要用于熔化焊锡来进行电子器件的生产以及二较管模块烧结等工艺操作。主要技术指标:&diams方式:井式、铜板加热,加热面积直径380mm见方.&diams较高温度:600℃&diams工作温度:500℃以内。&diams控温精度:±2℃&diams有效工

    2016-09-24 电议/台
  • LED外延片退火炉
    LED外延片退火炉

    ◆全中文操作界面,可编辑参数,操作简便◆可保存多条工艺曲线,每条曲线可设置多步◆工艺曲线的自动运行控制功能◆自动运行中可暂停继续运行功能◆工艺中可强制跳到下一工艺步运行功能◆智能升降温斜率控制功能◆PID参数自整定功能◆可存储多组PID参数供系统运

    2016-09-24 电议/台
  • 太阳能(光伏)扩散炉
    太阳能(光伏)扩散炉

    ◆工作温度:300~1200℃◆有效口径根据用户扩散片确定,可订制◆恒温区长度:920mm1350mm(可根据用户要求定制)◆温区精度(静态闭管测试):600℃<工作温度<1200℃:±0.5℃300℃&le工作温度&le600℃:±1℃◆单点温度稳定性(静态闭管测试)

    2016-09-24 电议/台
  • 程控扩散炉
    程控扩散炉

    产品说明:扩散炉主要满足半导体电力电子器件行业、大功率集成电路等行业,对所加工硅片进行扩散、氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、控制系统、超净化操作系统等组成。选用工控机微控方式或者程控方式操作。主要技术指标:★可处理硅片尺寸:2&mdash8英寸★外

    2016-09-24 电议/台
  • 立式真空扩散炉
    立式真空扩散炉

    本设备主要应用于集成电路、分立器件、电力电子器件熔化焊接来进行的生产、扩散、烧结、以及热处理退火等工艺操作。主要技术指标:方式:立式、环壁加热,钟罩升降式,丝杠上下传送料,自动升降送料,真空室内配有工件支架可处理硅片尺寸:28英寸恒温区长度:400800mm工作温度:

    2016-09-24 电议/台
  • 全自动扩散炉
    全自动扩散炉

    功能特点:扩散炉应用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺,可用于28英寸工艺尺寸。★全中文windows操作界面,可编辑参数,操作方便。★可保存多条工艺曲线,每条曲线可设置多步。★工艺曲线的自动运行控制功

    2016-09-24 电议/台
  • LED专项使用扩散炉
    LED专项使用扩散炉

    特点:★关键件全部采用进口件,具有高可靠性。★具有可编程的升、降温功能。★具有断电启动紧急信号、超温启动紧急信号、较限超温启动紧急信号等多种安全保护功能。★可存储九条工艺曲线。每条工艺曲线较多有九步。★曲线间可以任意链接、重复。★具有高抗干扰能力。★具有多种工艺

    2016-09-24 电议/台