简单描述:真空烧结炉广泛应用于半导体、冶金及其它行业的热处理、真空工艺处理详细介绍:★工作温度:400-1200oC★单点温度控制精度:≤±1oC/24h★等温区长度:200-400mm/±1mm★升温功率:3-6KVA★升温时间:(至1200℃)<750min
2016-09-24 电议/台主要用于熔化焊锡来进行电子器件的生产以及二较管模块烧结等工艺操作。主要技术指标:&diams方式:井式、铜板加热,加热面积直径380mm见方.&diams较高温度:600℃&diams工作温度:500℃以内。&diams控温精度:±2℃&diams有效工
2016-09-24 电议/台功能特点:扩散炉应用于半导体器件、分立器件、光电子器件、电力电子器件、及大规模集成电路制造等领域对晶片进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺,可用于28英寸工艺尺寸。★全中文windows操作界面,可编辑参数,操作方便。★可保存多条工艺曲线,每条曲线可设置多步。★工艺曲线的自动运行控制功
2016-09-24 电议/台